Equipos de película fina de proceso múltiple-PVD

El equipo de película delgada de múltiples-procesos PVD es una plataforma integrada de deposición al vacío diseñada para combinar múltiples-técnicas de fabricación de películas delgadas-incluidas la pulverización catódica con magnetrón RF/DC, la evaporación térmica y la evaporación por haz de electrones-dentro de una arquitectura de vacío unificada.

Este sistema elimina la contaminación por rotura de vacío entre distintas capas del proceso, lo que permite la deposición de películas complejas de múltiples-capas metálicas, dieléctricas y semiconductoras sin exposición ambiental. Configurado para grupos de I+D de laboratorio o líneas de producción piloto-, admite sustratos de hasta 300 mm de diámetro o soportes personalizados.

Arquitectura de vacío modular:Las cámaras de proceso independientes acopladas mediante válvulas de compuerta evitan la contaminación cruzada-entre la pulverización catódica reactiva y la evaporación de alto-vacío.

En-Transferencia de sustrato al vacío:Los brazos de transferencia magnéticos o lineales mantienen un alto vacío (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Cambio rápido-de bridas de origen:Los cátodos de pulverización catódica y los crisoles de haz electrónico-se montan en bridas CF estándar para un mantenimiento rápido y reemplazo de objetivos.

Trampa criogénica avanzada:Las trampas frías de nitrógeno líquido integradas y las trampas Meissner minimizan la presión de vapor de agua residual dentro de la cámara.

Monitoreo de espesor de bucle cerrado-:Los sensores duales de microbalanza de cristal de cuarzo (QCM) proporcionan información sobre la tasa de deposición y el espesor en tiempo real-vinculada directamente a la regulación del suministro de energía.

Etapa de desbaste:Bombas de desplazamiento sin-aceite combinadas con sopladores de raíces de múltiples-etapas para eliminar el reflujo-de hidrocarburos.

Etapa de alto vacío:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s para N2) y bombas criogénicas opcionales para un alto rendimiento-de vapor de agua.

Regulación de presión:Manómetros de capacitancia Baratron para medición de presión absoluta independiente de la especie de gas, combinados con válvulas de mariposa automatizadas para un control preciso de la presión del gas de proceso (0,1 Pa a 10 Pa).

Detección de fugas:Fuga de helio-probada a < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s antes de la prueba de aceptación en fábrica (FAT).

Objetivos conductores:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Materiales dieléctricos:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (mediante pulverización catódica reactiva o haz electrónico).

Tipos de sustrato:
Obleas semiconductoras (silicio, arseniuro de galio, fosfuro de indio).

Blanks ópticos (sílice fundida, BK7, zafiro).

Bandas flexibles y láminas metálicas finas (poliimida, lámina de acero inoxidable).

Optoelectrónica:Deposición de capas de óxido conductor transparente (TCO) y pilas de filtros ópticos anti-reflectantes (AR).

Fabricación de dispositivos semiconductores:Formación de contactos óhmicos, barreras Schottky, capas semillas para galvanoplastia y barreras de difusión (Ti/TiN).

Fabricación de sensores:Galgas extensométricas metálicas de película delgada-, elementos micro-calefactores y transductores piezoeléctricos.

I+D avanzada:Síntesis exploratoria de películas finas-multi-capas para componentes de computación cuántica y nuevos materiales de almacenamiento de energía.

Geometría de la cámara:Dimensiones de la cámara de expansión para sustratos de lotes no-estándar o de gran tamaño.

Integración de fuente:Relaciones de asignación personalizadas entre pistolas de pulverización catódica con magnetrones y bolsas de evaporación de haces de electrones.

Sputtering sesgado:Opciones de polarización de RF/DC de sustrato para densificación de películas y control de tensión.

Cargar-Integración de bloqueo:Adición de cámaras de esclusa de carga-automatizadas para mantener la integridad del alto vacío durante los ciclos de carga de alto-rendimiento.

Trazabilidad de materiales:Se proporcionan certificados de prueba de fábrica (MTC) para todos los marcos estructurales y componentes de acero inoxidable del lado del vacío-.

Montaje de sala limpia:Integración final y verificación del recuento de partículas-realizada en un entorno de sala limpia ISO Clase 6.

Pruebas de aceptación de fábrica (FAT):Prueba de horneado al vacío continua de 72- horas, prueba de fugas mediante espectrometría de masas con analizador de gases residuales (RGA) y ejecución de deposición de película de referencia para verificar la uniformidad del espesor.

Guía de preparación del sitio:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), aire comprimido, líneas de gas de proceso (Ar, O2, N2 con 99,999 % de pureza) y requisitos de carga eléctrica (trifásico 380 V/480 V).

Puesta en servicio:Instalación en el sitio, calibración de vacío y pruebas conjuntas-realizadas por ingenieros de servicio de campo de fábrica.

Capacitación del operador:Capacitación estructurada en el sitio de 5-días que cubre mantenimiento de rutina, protocolos de seguridad de vacío, programación de recetas y resolución de problemas básicos.