Descripción general del producto
El equipo de película delgada de evaporación asistida por iones-serie IAE-integra la deposición física de vapor (PVD) con el bombardeo con haz de iones en tiempo real-. Al dirigir iones energéticos hacia el sustrato durante la evaporación térmica o por haz de electrones-, el sistema transfiere impulso a los átomos de condensación, reestructurando la microestructura de la película en crecimiento.
Esta transferencia de energía cinética elimina los huecos de las columnas, suprime la absorción de humedad y bloquea el índice de refracción contra los cambios de humedad ambiental. Diseñada para operaciones continuas de múltiples-turnos en líneas de producción ópticas y de semiconductores, la plataforma maneja sustratos que van desde ópticas láser de alta-precisión hasta obleas de silicio.
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Equipo de evaporación al vacío asistida por iones-El sistema de evaporación por vacío asistido por iones-integra fuentes de evaporación por haz de electrones o térmicas de alto-vacío-con una fuente de iones de tipo Kaufman-o End-Hall. Al...Ver más
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Sistema de deposición de película fina asistido por iones-El sistema de deposición de película fina asistida por iones-integra evaporación térmica/haz de electrones-multi-de bolsillo con una fuente de iones de alto-rendimiento-Hall o Kaufman-. Durante la...Ver más
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Equipo de evaporación asistida por haz de ionesEl sistema IBAE combina la evaporación térmica o por haz de electrones-con una fuente de iones de haz amplio-integrada. El bombardeo simultáneo de iones durante el crecimiento de la película...Ver más
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Equipo de deposición de película fina asistida por iones-El equipo de deposición de película fina asistida por iones-serie IA-integra la evaporación térmica por haz de electrones-con una fuente de iones Kaufman o End-Hall. El bombardeo energético de...Ver más
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Sistema de película fina de evaporación asistida por iones-El sistema de película delgada de evaporación asistida por iones (IAE) integra la deposición física de vapor (PVD) con un bombardeo energético con haz de iones. Durante la evaporación térmica o...Ver más
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Equipo de película fina de evaporación asistida por iones-Sistema de evaporación asistida por iones-de grado industrial (IAE) que integra evaporación por haz de electrones-de múltiples bolsillos con una fuente de haz de iones energético (configuración...Ver más
Especificaciones técnicas
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Parámetro |
Especificación |
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Presión base máxima |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
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Fuentes de evaporación |
Pistola de rayos E-de múltiples bolsillos (4 × 15 cc a 40 cc) y fuentes térmicas resistivas |
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Tipo de fuente de iones |
Fuente de iones tipo extremo sin rejilla-Hall/Kaufman- (voltaje del haz: 50 – 1500 V, corriente de iones: 0,1 – 3 A) |
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Control de espesor de película |
Microbalanza de cristal de cuarzo (QCM) + Sistema de monitorización óptica (OMS), precisión ± 0,1 nm |
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Fijación de sustrato |
Accesorio de rotación planetaria, radio de domo personalizado según la geometría del sustrato |
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Calentamiento de sustrato |
Conjunto de calentadores radiantes, hasta 350 grados con uniformidad PID de ± 2 grados |
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Arquitectura de control |
PLC + PC industrial, ejecución automatizada de recetas, registro de datos compatible con SECS/GEM |
Proceso de deposición asistida de iones-
Generación de vapor:
El material se evapora del crisol de haz electrónico o del bote térmico a velocidades de deposición controladas (0,1 – 2,0 nm/s).
01
Transferencia de impulso:
Los iones energéticos (Ar⁺, O⁺) bombardean la superficie del sustrato al mismo tiempo que el flujo de vapor que llega desde el haz E-o fuente térmica.
02
Modificación de la microestructura:
El impacto iónico mejora la movilidad de la superficie del adatom, evitando el crecimiento de granos columnares y logrando una densidad aparente cercana a-(densidad de empaquetamiento > 99 %).
03
Corrección de estequiometría:
La asistencia de iones reactivos (O₂) garantiza la oxidación completa de los sub-óxidos en películas de óxido metálico (por ejemplo, Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂), eliminando las bandas de absorción en el espectro UV-NIR.
04
Materiales cinematográficos
Óxidos:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (alta estabilidad del índice de refracción para filtros ópticos).
Fluoruros:
MgF₂, LaF₃ (Capas de bajo índice de refracción para recubrimientos AR de banda ancha).
Rieles:
Al, Ag, Au, Ti (Capas de adhesión y reflectores metálicos).
Aplicaciones
Óptica láser y de precisión:
Filtros de paso de banda, espejos dicroicos y revestimientos protectores contra láser que requieren un umbral de daño inducido por láser (LIDT)-alto y un desplazamiento espectral cero bajo estrés térmico.
Vidrio de cubierta LiDAR:
Películas delgadas anti-reflectantes (AR) y anti-suciedad duraderas y resistentes a la intemperie.


Embalaje de semiconductores:
Capas de encapsulación de barrera contra la humedad-y almohadillas de contacto metálicas depositadas a bajas temperaturas del sustrato.
Sensores biomédicos:
Recubrimientos de interferencia óptica biocompatibles para chips de microfluidos de diagnóstico.
Personalización
Las cámaras y los diseños internos están diseñados para espacios de fabricación y requisitos de proceso específicos:
Dimensiones de la cámara:
Escalable desde unidades de I+D de R=600 mm hasta sistemas de producción de alta capacidad- de R=1200 mm.
Paquetes de bombeo:
Configurable con bombas turbomoleculares Maglev, criobombas y líneas de respaldo de soplador Roots según los requisitos de carga de gas.
Integración de fuente:
Configuraciones de fuente de iones-dobles o configuraciones de deposición de co-para aleaciones complejas y películas de gradiente multi-capas.
Nivel de automatización:
Integración con sistemas automatizados de transferencia de sustratos de salas blancas (EFEM / Vacuum cluster tools).
Control de calidad
Detección de fugas:
Cada cámara de vacío se somete a pruebas de fugas de helio-con un espectrómetro de masas (tasa de fuga < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).
Trazabilidad de componentes:
Válvulas de vacío, controladores de flujo másico (MFC) y fuentes de alimentación de marcas industriales calificadas de nivel 1 (MKS, Inficon, VAT).
Pruebas de aceptación de fábrica (FAT):
Realice-pruebas para verificar la presión base, la curva de bombeo, la estabilidad de la fuente y la resistencia continua de la cámara vacía durante 24-horas antes del envío.
Validación de metrología:
Ejecuciones de muestras verificadas mediante espectrofotómetro (transmitancia/reflectancia) y microscopía de fuerza atómica (rugosidad de la superficie Ra < 0,5 nm).
Instalación y soporte técnico
Guía de preparación del sitio:
Requisitos integrales de servicios públicos proporcionados antes de la entrega (flujo/presión de agua de refrigeración, aire comprimido para sala limpia, distribución de energía, ventilación de escape).
Puesta en marcha llave en mano:
Los ingenieros de servicio de campo se encargan del ensamblaje mecánico, el horneado-al vacío, la calibración del haz de iones y la aprobación-de la receta del proceso inicial en-el sitio.
Capacitación del operador:
Capacitación práctica-estructurada que cubre mantenimiento de rutina, seguridad de aspiración, operación de software y resolución de problemas.
Soporte de ciclo de vida:
Interfaz de diagnóstico remoto para una rápida resolución de problemas de software; Stock regional de artículos de desgaste crítico (filamentos, crisoles, escudos) enviados dentro de las 48 horas.
Preguntas frecuentes
Somos bien-conocidos como uno de los principales fabricantes y proveedores de equipos de película fina de evaporación asistida por iones-en China. Si va a comprar un equipo personalizado de película delgada de evaporación asistida por iones-fabricado en China, le invitamos a obtener una lista de precios de nuestra fábrica. Para consulta de precios, contáctenos.
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