Equipo de evaporación al vacío asistida por iones-

Equipo de evaporación al vacío asistida por iones-

Detalles
El sistema de evaporación por vacío asistido por iones-integra fuentes de evaporación por haz de electrones o térmicas de alto-vacío-con una fuente de iones de tipo Kaufman-o End-Hall. Al bombardear la película en crecimiento con gas ionizado (Ar u O2) durante la deposición física de vapor (PVD), el sistema transfiere energía cinética a los adatomos, suprimiendo la microestructura columnar y previniendo la absorción de humedad en películas delgadas ópticas y dieléctricas.
Clasificación del producto
Equipo de película fina de evaporación asistida por iones-
 
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Descripción
Parámetros técnicos

El sistema de evaporación por vacío asistido por iones-integra fuentes de evaporación por haz de electrones o térmicas de alto-vacío-con una fuente de iones de tipo Kaufman-o End-Hall. Al bombardear la película en crecimiento con gas ionizado (Ar u O2) durante la deposición física de vapor (PVD), el sistema transfiere energía cinética a los adatomos, suprimiendo la microestructura columnar y previniendo la absorción de humedad en películas delgadas ópticas y dieléctricas.


Diseñado para la integración de salas limpias y la producción continua de múltiples-turnos, el sistema escala desde espacios de investigación y desarrollo (cámaras de 300 mm) hasta líneas industriales de alto-rendimiento (configuraciones de rotación planetaria y doble-puerta de 900 mm).

 

Especificaciones técnicas

 

Categoría de parámetro

Especificación técnica

Dimensiones de la cámara

600 mm x 600 mm x 600 mm (Personalizable hasta 1200 mm)

Material de la cámara

Acero inoxidable 304L, superficies internas electropulidas a Ra < 0,2 um

Presión básica

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Presión máxima

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Fuentes de evaporación

Pistola de haz electrónico-de múltiples bolsillos (6 x 15 cc/4 x 40 cc) y fuentes térmicas resistivas

Fuente de iones

Fin-Fuente de iones de pasillo/sin rejilla (voltaje del haz: 50-300 V, corriente de iones: 0-500 mA)

Accesorio de sustrato

Mecanismo de rotación planetaria (0-20 RPM) con calefacción opcional (RT a 350 grados C)

Control de espesor de película

Microbalanza de cristal de cuarzo (QCM) con cabezal sensor doble y controlador de bucle cerrado-PID

 

Características clave


Cerca de-densidad aparente:La elevada movilidad de la superficie del adatom elimina la porosidad visible de la película y maximiza la dureza mecánica.


Ajuste de estrés intrínseco:La energía del haz de iones ajustable neutraliza la tensión mecánica, evitando la delaminación en pilas dieléctricas gruesas.


Procesamiento de presupuesto-térmico-bajo:La densificación impulsada por el impulso-permite un recubrimiento de alto-rendimiento sobre sustratos de polímeros sensibles a la temperatura-sin distorsión térmica.


Automatización de recetas:Interbloqueos de vacío controlados por PLC-y secuenciación de bombeo-gestionada a través de un panel táctil-industrial HMI con registro de datos.

 

Configuración del sistema de vacío


Etapa de desbaste:Bomba mecánica de paletas rotativas-de doble etapa acoplada con un soplador de raíces (velocidad de 150 L/s) para un cruce rápido.


Etapa de alto vacío:Bomba turbomolecular de levitación magnética (1600 L/s) respaldada por una bomba de desplazamiento seca sin aceite-para eliminar el contraflujo de hidrocarburos.


Opción criogénica:Integración de trampa fría de nitrógeno líquido y bomba criogénica para presiones parciales de vapor de agua-bajas.


Medición de vacío:Medidores de cátodo frío y Pirani con calibración cruzada-para información en tiempo real-desde la atmósfera hasta 10^-7 Pa.

 

Materiales de evaporación y compatibilidad de sustratos


Materiales de evaporación
Óxidos:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Fluoruros:MgF2, LaF3


Rieles:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Compatibilidad del sustrato
Sustratos ópticos:
Ventanas de sílice fundida, N-BK7, silicio, germanio y seleniuro de zinc.


Obleas semiconductoras:Obleas de silicio y semiconductores compuestos de 100 mm a 300 mm.


Polímeros:Películas de PET, PI (poliimida) y PMMA que utilizan parámetros IAD de baja-temperatura.

 

Aplicaciones


Óptica de Precisión:Recubrimientos anti-antirreflectantes (AR), espejos láser y filtros de paso de banda estrecho que requieren resistencia a la humedad.


Microelectrónica:Electrodos de puerta metálica, capas de adhesión y barreras de pasivación en envases de semiconductores.


Optoelectrónica:Contactos de óxido conductor transparente (TCO) y capas de encapsulación de barrera de humedad-OLED.

 

Opciones de personalización


Geometría de la cámara:Construcciones rectangulares o cilíndricas adaptadas a las limitaciones de las paredes de las salas blancas.


Integración de múltiples-fuentes:Configuraciones de co-evaporación con capacidad para hasta tres cañones de haz E-y cuatro botes térmicos.


Puertos de metrología in situ:Puertos de integración de bridas para elipsómetros espectroscópicos o sistemas de monitoreo óptico.


Nivel de automatización:Construcciones de investigación semi-automáticas o manipulación de obleas de casete-a-casete totalmente automatizada.

 

Protocolos de prueba y control de calidad


Detección de fugas:Pruebas con espectrómetro de masas de helio en cada cámara con un umbral de rechazo estricto de <1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Verificación de limpieza:Escaneo del analizador de gases residuales (RGA) realizado antes-del envío para verificar que no haya hidrocarburos orgánicos.


Grabación del sistema-en:Prueba continua de funcionamiento en seco de 72-horas de accionamientos mecánicos, colectores de refrigeración y enclavamientos eléctricos.


Documentación:Certificados de prueba de fábrica de materiales (MTR), esquemas eléctricos e informes de pruebas de aceptación de fábrica (FAT).

 

Instalación y soporte técnico


Preparación del sitio:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), aire limpio y seco (CDA) y escape.


Puesta en servicio:Implementación de servicios de campo para nivelación mecánica, conexión de servicios públicos, calibración de vacío y aprobación de recetas-.


Capacitación del operador:Programa in situ de 5-días que cubre operación, mantenimiento preventivo, solución de problemas e interbloqueos de seguridad.


Piezas de repuesto:Artículos de desgaste crítico (filamentos, cristales QCM, sellos, cojinetes turbomoleculares) almacenados regionalmente.

 

Preguntas frecuentes

 

P: ¿Cómo previene el IAD la desviación del índice de refracción?

R: El bombardeo de iones expulsa los gases residuales atrapados y compacta el crecimiento de la película hasta alcanzar una densidad aparente cercana a-. Esto detiene la condensación de humedad ambiental tras la ventilación atmosférica, lo que garantiza un cambio de longitud de onda del centro cero-a lo largo del tiempo.

P: ¿Cuál es el intervalo de mantenimiento para las rejillas y los filamentos de la fuente de iones?

R: Las fuentes de iones End-Hall funcionan durante 150-200 horas de proceso dependiendo de los gases reactivos. Las abrazaderas de liberación rápida permiten el reemplazo de componentes en menos de 30 minutos.

P: ¿Puede el sistema manejar procesos reactivos como TiO2?

R: Sí. Los controladores de flujo másico (MFC) de alta-precisión dedicados inyectan oxígeno o nitrógeno directamente en la cámara y la fuente de iones, lo que garantiza una estequiometría completa y elimina la absorción de sub-óxido.

 

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