El principio de funcionamiento de la máquina de recubrimiento DLC incluye principalmente dos procesos principales: deposición química de vapor (CVD) y deposición física de vapor (PVD).
Deposición química de vapor (CVD)
CVD es un método para depositar películas delgadas sobre la superficie de sustratos mediante reacciones químicas en fase gaseosa. Se divide principalmente en CVD térmico y CVD mejorado con plasma (PECVD).
CVD térmico: descompone el gas de reacción a alta temperatura para depositar películas delgadas. Es adecuado para la deposición de áreas-grandes, pero tiene altos requisitos de control de temperatura.
PECVD: utilice plasma para excitar el gas de reacción (como el metano) para formar películas DLC de alta-calidad a bajas temperaturas, lo cual es adecuado para sustratos-sensibles al calor.
Deposición física de vapor (PVD)
PVD deposita materiales sobre la superficie de los sustratos mediante procesos físicos como la pulverización catódica o la evaporación. Los principales métodos incluyen:
Pulverización con magnetrón: utilice iones para bombardear el material objetivo y depositar átomos de carbono en la superficie del sustrato, lo cual es adecuado para un recubrimiento uniforme de áreas grandes-.
Deposición por haz de iones: utiliza haces de iones de alta-energía para bombardear el sustrato y formar una película DLC densa con mayor suavidad y adhesión.
